Counterpoint 报告：2026 年 Q3 全球 DRAM 营收逼近 2000 亿美元，同比增长 369%

一句话结论

Counterpoint Research 数据显示，2026 年 Q3 全球 DRAM 营收逼近 2000 亿美元，同比增长 369%，标志本轮涨价驱动的超级周期已达高位。

关键要点

• 2026 年 Q3 全球 DRAM 市场营收接近 2,000 亿美元（按文中汇率约合 1.34 万亿元人民币），同比增长 369%，约为去年同期的 5 倍。
• 当季 DRAM 单位出货量环比仅增长约 4%，每 Gb 平均售价达到 1.9 美元，说明本轮增长主要由价格而非出货量驱动。
• 三星电子以 38% 市场份额保持第一；SK 海力士环比营收增长超 40%，缩小与三星差距；美光受 AI 数据中心需求拉动表现强劲但增速略低；长鑫存储份额从 Q2 的 10% 下滑至 Q3 的 9%。
• HBM 营收几乎翻倍，但其在 DRAM 总营收中的占比反而下降，原因是传统 DRAM 产品增长更快。
• DDR 和 LPDDR 平均售价升至历史高位，相关产品营收同比分别增长 500% 和接近 400%。

背景与事实

2025 年 11 月 5 日，市场研究机构 Counterpoint Research 发布《全球内存市场追踪》报告，指出 2026 年第三季度全球 DRAM 市场进入由价格上涨主导的超级周期。当季 DRAM 单位出货量环比仅增长约 4%，但每 Gb 平均售价升至 1.9 美元，营收接近 2,000 亿美元，同比增长 369%。高级分析师 Jeongku Choi 表示，AI 已将内存从普通大宗商品转变为高价值稀缺资源，买家核心动作是争抢供应而非议价，存储厂商下一季度将再创新盈利纪录。

分厂商来看，三星电子以 38% 的市场份额稳居 DRAM 市场第一；SK 海力士环比营收增长超过 40%，大幅缩小与三星的差距，追回了今年早些时候丢失的部分市场份额；美光受 AI 数据中心内存需求拉动同样表现强劲，但增速落后于三星与 SK 海力士；长鑫存储的市场份额从二季度的 10% 下滑至三季度的 9%，随着竞争对手从四季度开始出货溢价更高的 HBM4 产品，长鑫存储的份额预计将持续承压。Counterpoint Research 研究总监 MS Hwang 表示，随着新一代 HBM 产品陆续推出，厂商之间的竞争格局也在变化，他预计三星有望在明年成为 HBM 市场份额最高的厂商。

Counterpoint Research 副总监 Brady Wang 指出，AI 智能体推动了传统 DRAM 需求增长。云端 AI 算力追踪数据显示，GPU 与 CPU 的配比已从 4:1 缩小至 2:1，并呈现进一步向 1:1 靠拢的趋势。以英伟达 Vera Rubin 机架为例，其每颗 CPU 插槽搭载的 DRAM 容量增至 1.5TB，接近上一代产品的 3 倍。DDR 和 LPDDR 的平均售价均升至历史高位，相关产品营收同比分别增长 500% 和接近 400%。MS Hwang 补充道，内存价格在明年将保持强势，主要新晶圆厂要到 2028 年才会投产，供应将持续偏紧。

影响分析

对中文开发者与从业者而言，本轮 DRAM 涨价周期意味着硬件采购成本将显著上升。服务器 CPU 用量增加和 DRAM 容量配置提升（如英伟达 Vera Rubin 机架每颗 CPU 插槽搭载 1.5TB DRAM）将推高 AI 训练和推理集群的建设成本，终端设备市场也可能面临 BOM 成本压力。对于依赖传统 DDR 和 LPDDR 的消费类终端厂商，营收同比增长 500% 和接近 400% 的涨幅将直接压缩毛利率空间。在供给侧，长鑫存储份额从 10% 下滑至 9% 且预计持续承压，国内存储厂商需加速 HBM 等高端产品布局以维持竞争力。本分析基于报告数据推导，实际影响因企业采购策略和长期协议条款而异。

适用边界

上述结论基于 2026 年 Q3 全球 DRAM 市场数据，主要适用于关注 AI 基础设施、服务器内存及消费终端硬件成本的分析场景。该结论不适用于 2028 年之后新晶圆厂投产后的供需格局预测，也不适用于长期供货协议（LTA）覆盖期内锁定价格已签约的企业。此外，报告中厂商份额数据为单季度快照，不能直接外推为全年或长期趋势。

孤本观察

报告中 HBM 营收几乎翻倍但占比下降、DDR 和 LPDDR 涨幅远超 HBM 的反常结构，说明本轮超级周期并非单纯由 AI 高端产品驱动，而是由 AI 基础设施对传统内存用量的放大效应主导，这比市场普遍预期的"AI 只利好 HBM"叙事更为复杂。

来源：IT之家