HBM4 基片需求激增助力三星晶圆代工 2026 年亏损收窄 41.8%

一句话结论

受 HBM4 基片 4nm 工艺需求拉动，三星晶圆代工 2026 年亏损预计同比收窄 41.8%。

关键要点

• 三星晶圆代工与系统级芯片业务 2026 年合并营业亏损预计同比收窄 41.8%，从 6.74 万亿韩元降至 3.92 万亿韩元
• HBM4 底层基片采用 4nm 工艺，三星今年 2 月启动量产，5 月向客户送样 HBM4E，三季度 HBM4 收入预计环比增长三倍以上
• 三星 7 月上调 4nm 新订单价格，部分先进节点涨幅达 10% 至 15%，HBM4 占三星 HBM 总收入比例预计下半年超 60%
• 三星 7 月与博通签署谅解备忘录，计划 2030 年前合作规模超 2000 亿美元，涵盖 HBM4/HBM4E 供应及 2nm 以下制程
• 第二季度已获大型云服务提供商及 AI、HPC 客户 2nm 项目，客户启动产品设计

背景与事实

根据 IT 之家 10 月 1 日发布的资讯，集邦咨询综合 digitaltoday 等多家媒体报道，指出三星电子晶圆代工与系统级芯片业务正经历业绩拐点。数据显示，这两块业务的合并营业亏损预计将在 2026 年实现显著改善，同比收窄幅度达到 41.8%。具体数值上，亏损额将从去年的 6.74 万亿韩元（按现汇率约合 334.17 亿元人民币）下降至今年的 3.92 万亿韩元（约合 194.35 亿元人民币）。这一预测主要得益于高端存储芯片需求的结构性变化，尤其是 HBM4 基片对 4nm 工艺节点带来的强劲拉动。

HBM4 作为下一代高带宽内存技术，采用多颗 DRAM 芯片垂直堆叠架构。其中底层基片（base die）承担信号控制与数据调度的关键职能，主要服务于 AI 加速器、GPU 等高算力芯片，其带宽与能效指标远超传统 GDDR 方案。由于 HBM4 堆叠结构中最底层的逻辑芯片 base die 采用 4nm 工艺，市场需求的增长直接转化为对先进制程产能的需求。三星电子在今年 2 月启动了 HBM4 的量产出货，并在 5 月向客户送样更先进的 HBM4E 版本。市场数据显示，第三季度 HBM4 收入预计环比增长三倍以上，且 HBM4 占三星 HBM 总收入的预计比例在下半年将超过 60%。

在产能与定价策略方面，HBM4 基片与先进节点订单的需求强劲，使得三星无需再为提升产能利用率而接受低价合同。早在 7 月，三星已上调 4nm 新订单价格，部分先进节点的价格涨幅达到 10% 至 15%。这一价格调整直接改善了晶圆代工业务的毛利结构。此外，外部订单方面取得重要突破，三星 7 月与博通（Broadcom）签署谅解备忘录，计划 2030 年前合作规模超过 2000 亿美元（约合 1.34 万亿元人民币），合作范围涵盖 HBM4/HBM4E 供应及 2nm 以下制程与先进封装。第二季度，三星已获取大型云服务提供商及 AI、HPC 客户的 2nm 项目订单，客户已启动产品设计工作，为未来收入增长奠定基础。

影响分析

对于中文开发者与从业者而言，这一趋势意味着 AI 算力基础设施的成本结构正在发生微妙变化。虽然三星亏损收窄主要反映其内部财务表现，但 HBM4 基片需求激增表明，采用 4nm 工艺的逻辑芯片在高性能计算领域正成为标配。分析判断认为，这将推动整个半导体供应链向更先进制程迁移，国内 AI 芯片设计公司若需采用同类 HBM 方案，可能面临供应商产能分配优先级的竞争。此外，三星上调 4nm 价格并锁定 2nm 订单，表明先进节点产能依然紧张，相关设备、材料供应商及封装测试企业有望受益于整体产业链扩张。对于从事 AI 加速器研发的企业，需关注 HBM4 技术对系统架构设计的实际影响，包括内存带宽扩展与能效比优化带来的架构调整需求。

适用边界

本结论仅适用于基于公开报道与行业机构预测的分析场景，不适用于三星电子内部未公开的实际财务数据。HBM4 基片需求增长与三星亏损收窄之间的因果关系基于当前市场供需关系，若全球 AI 算力投资放缓、技术路线变更（如新型内存架构替代 HBM）或三星产能爬坡进度不及预期，该预测可能失效。此外，2000 亿美元合作规模是 2030 年前的计划目标，实际执行可能因市场波动、技术迭代或地缘政治因素而调整，不构成确定性收入承诺。

孤本观察

从编辑视角判断，三星此次亏损收窄的核心驱动力并非传统代工订单，而是 HBM4 基片这一“存储 + 逻辑”融合产品对先进节点的结构性拉动。这种由终端 AI 需求反向塑造供应链价格体系的现象，可能成为后摩尔时代晶圆代工商业模式的新常态。

来源：IT之家